Resumo

DURAN-FLORES, Larissa  e  FONTHAL, Gerardo. ESTUDIO DE LA COLA DE URBACH EN SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE BRECHA INDIRECTA. Rev. Téc. Ing. Univ. Zulia [online]. 2003, vol.26, n.1, pp.3-9. ISSN 0254-0770.

Resumen     En este trabajo se estudiaron los parámetros de las colas de bandas en GaP, Ge y Si, semiconductores de brecha indirecta, a partir de datos encontrados en la literatura. Se comprobó que el borde de absorción óptico de los materiales estudiados obedece la Regla de Urbach. Se estableció que el desorden estructural en materiales monocristalinos es aproximadamente cero, producto del desorden natural en la red del cristal. El ancho de la cola o energía de Urbach que se determinó en los tres materiales se mantuvo entre 20 y 39 meV para 77K y 60 y 70 meV para 300K. El parámetro de "steepness" obtenido para cada material fue menor de 0.55, describiendo una fuerte interacción fonónica típica en el comportamiento de los semiconductores de brecha indirecta.

Palavras-chave : Brecha indirecta; absorción óptica; colas de banda; regla de Urbach.