Abstract

ESTEVEZ, Josefa et al. Crecimiento, propiedades estructurales, térmicas, ópticas y eléctricas del CuIn₅S₈ . Rev. Téc. Ing. Univ. Zulia [online]. 2009, vol.32, n.1, pp.60-67. ISSN 0254-0770.

En el presente trabajo el compuesto CuIn₅S₈ es obtenido por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos químicos constituyentes. Los datos de la difracción de rayos X en polvo, indexados con el programa TREOR 90, muestran un cristal monofásico de estructura cúbica spinel, con grupo espacial Fd3m y parámetro de celda unidad de 10.69 Å. De acuerdo con las medidas de Análisis Térmico Diferencia (ATD) este cristal funde congruentemente alrededor de 1084ºC. Se utilizaron medidas de tramitancia para obtener el coeficiente de absorción a. A partir de este último se encontraron dos brechas de energía E_g a temperatura ambiente, una directa y otra indirecta, con valores de 1.41 y 1.25 eV, respectivamente. Por primera vez se reporta la reflectividad de este compuesto, a partir de ésta se confirmaron los valores de las brechas de energía obtenidos de las medidas de tramitancia. El estudio de las propiedades eléctricas muestra que la conductividad del CuIn₅S₈ es tipo n. Dos energías de activación fueron estimadas de los diagramas de Arrhenius de la resistividad y de la concentración de portadores, 56 meV y 0.16 eV, respectivamente.

Keywords : Semiconductores de vacantes ordenadas; estructura cristalina; transiciones de fase; brecha de energía; resistividad.