Resumo

DELGADO, Gerzon E; GRIMA-GALLARDO, Pedro; QUINTERO, Miguel  e  CHACON, Cecilia. Preparación y caracterización estructural del nuevo semiconductor tipo-diamante CuMnInSe₃. Rev. Téc. Ing. Univ. Zulia [online]. 2018, vol.41, n.1, pp.25-31. ISSN 0254-0770.

El compuesto calcogenuro CuMnInSe₃, perteneciente al sistema I-II-III-VI₃, ha sido investigado mediante difracción de rayos-X en muestras policristalinas y su estructura cristalina ha sido refinada utilizando el método Rietveld. El patrón de polvo se compone de 85,3 % de la fase principal CuMnInSe₃ y 14,7 % de la fase secundaria MnSe. Este material cristaliza con una estructura tipo CuFeInSe₃ en el grupo espacial P 2c, (N° 112), con parámetros de celda unidad a = 5,7907(5) Å, c = 11,648(1) Å, V = 390,58(8) ų.

Palavras-chave : Calcogenuros; Semiconductores; Síntesis química; Datos de difracción de polvo; Estructura cristalina.

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