Abstract

TORCHYNSKA, T. V et al. OPTICAL PHENOMENA IN Si LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES DEPENDENT ON MORPHOLOGY AND SILICON OXIDE COMPOSITION ON Si SURFACE . Rev. LatinAm. Met. Mat. [online]. 2001, vol.21, n.2, pp.41-45. ISSN 0255-6952.

Se ha demostrado que la ancha e intensa banda "roja" de fotoluminiscencia en el silicio poroso no es elemental y puede estar compuesta por al menos dos bandas elementales. Métodos de fotoluminiscencia, espectroscopía de emisión de rayos-X suaves, absorción infrarroja y microscopía de fuerza atómica fueron empleados para estudiar el comportamiento de ambas bandas en el espectro de fotoluminiscencia del silicio poroso, que fue preparado a diferentes condiciones de anodizado electroquímico. Los mecanismos de la transición radiativa de ambas bandas elementales son también discutidos

Keywords : Silicio Poroso; PSi; Fotoluminiscencia; PL; Microscopía de Fuerza Atómica; AFM; Espectroscopía de Emisión de Rayos-X Suaves; USXES; Absorción Infrarroja; IR absorption.