Abstract

GALLEGO, J.L et al. Caracterización raman y edx de películas delgadas de CN_X crecidas por ablación láser. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2009, vol.29, n.2, pp.109-114. ISSN 0255-6952.

En el presente estudio se depositaron películas delgadas amorfas de nitruro de carbono a-CN_x utilizando un blanco de grafito pirolítico con una pureza de 5N, sobre substratos de silicio (100) en una atmosfera de gas de nitrógeno, usando la técnica de depósito por láser pulsado. Las películas de a-CN_x se crecieron a diferentes temperaturas del substrato y diferentes presiones del gas nitrógeno; se utilizó un láser Nd:YAG con una fluencia de 10 J/cm². Las películas fueron caracterizadas por espectroscopia μ-Raman y con microanálisis por energía dispersiva de rayos X (ED_X). Los espectros Raman muestran los picos característicos de carbono amorfo D (1354 cm^-1) y el pico G (1555 cm^-1), que corresponden a enlaces sp². Las intensidades de los picos característicos (I_D/I_G) en los espectros Raman indican que con el incremento de la temperatura del substrato y de la presión del gas de nitrógeno la relación entre las intensidades de los picos D y G (I_D/I_G) aumenta. El análisis EDX confirma la presencia de los elementos depositados C, N. La pluma del plasma producido por el láser fue caracterizada mediante espectroscopia de emisión óptica. En los espectros de emisión se identificaron especies atómicas (carbono y nitrógeno) y moleculares de CN.

Keywords : Nitruro de carbono; Ablación láser; Espectroscopia Raman.