Abstract

ACEVEDO-PENA, Próspero et al. Propiedades semiconductoras de películas anódicas de Ti: Influencia de las transformaciones estructurales. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2010, vol.30, n.2, pp.201-209. ISSN 0255-6952.

El crecimiento de películas anódicas en la interfase Ti/0.1 M NaOH y su caracterización electroquímica, muestran la existencia de cambios estructurales del óxido formado desde TiO hasta el TiO₂. La ocurrencia de estas transformaciones con el potencial de formación de la película (E_f ), no afectó la cinética de crecimiento de la película pasiva, pero sí el óxido formado en la interfase Ti/0.1 M NaOH. La variación de la densidad de donadores (N_d) y el potencial de banda plana (E_fb) con el E_f , se atribuyó a las transformaciones estructurales.

Keywords : Ti; Crecimiento potenciostático; Transformaciones estructurales; Potencial de banda plana; Densidad de donadores.