Abstract

LOPEZ, Roberto et al. Propiedades fotoluminiscentes de películas ZnO: A-SiO_x obtenidas por la técnica cvd asistido por filamento caliente. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2011, vol.31, n.1, pp.59-63. ISSN 0255-6952.

El interés actual por materiales constituidos por más de un componente, se ha incrementado en los últimos años debido a las propiedades que éstos presentan. En este trabajo, se realizó un estudio de las propiedades fotoluminiscentes de compositos ZnO:a-SiO_x. Para la obtención del material, se empleó la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) en un rango de temperaturas entre 900-1100 °C. Se incluyó una fuente sólida de cuarzo (SiO₂) en el ambiente de crecimiento, para estudiar su efecto en las propiedades de las películas depositadas. La caracterización estructural por difracción de rayos-X (XRD), y por espectroscopia infrarroja (FTIR), indicaron que las fases de ZnO y a-SiO_x coexisten independientemente de la temperatura de depósito, aunque este parámetro es determinante en la fase que domina la emisión fotoluminiscente

Keywords : ZnO; HFCVD; PL; a-SiO_x.