Resumo

POWER, Chrystian; GRIMA-GALLARDO, Pedro; MUNOZ, Marcos A  e  MOLINA, Ildefonso. Estudio de la variación de la brecha de energía en función de altas temperaturas (300-750) k de los semiconductores cuinvi2 (S, Se, Te). Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2011, vol.31, n.2, pp.134-137. ISSN 0255-6952.

Las medidas de absorción óptica en función de la temperatura (300 hasta 750)K sobre muestras semiconductoras de brecha de energía directa CuInVI₂ (S, Se y Te) fueron realizadas en el espectro de luz visible. Estos resultados son utilizados para determinar el valor de la brecha fundamental de energía directa Eg en función de la temperatura T, por medio de modelos teóricos clásicos. El parámetro dEg/dT obtenido en el rango de altas temperaturas en los semiconductores ternarios CuInS₂, CuInSe₂ y CuInTe₂ son -3.3x10^-4eVK^-1, -2.1x10^-4eVK^-1 y -5.3x10^-4eVK^-1 respectivamente, estos resultados serán comparados con los reportados hasta los momentos en rangos menores de temperaturas (T<300K)

Palavras-chave : Semiconductores; absorción óptica; brecha de energía; alta temperatura.