Abstract

BAEZ CRUZ, Ricardo E.; DIAZ F, Jhon H.  and  ESPITIA R, Miguel J.. VARIACION DEL MAGNETISMO EN EL COMPUESTO Cr1-XGaXN DEBIDO A LA PRESIÓN: UN ESTUDIO POR DFT . Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2014, vol.34, n.1, pp.142-147. ISSN 0255-6952.

Reportamos un estudio de primeros principios para estudiar los efectos de la presión sobre las propiedades electrónicas y magnéticas del compuesto Cr1-xGaxN (0,25, 0,50 y 0,75) en la estructura wurtzita. Usamos el método Ondas Plana Aumentadas y Linealizadas Potencial Completo (FP-LAPW) en el marco de la Teoría del Funcional de la Densidad DFT. Hallamos que la constante de red del compuesto aumenta linealmente con la concentración de Ga. El momento magnético cambia para una presión crítica. Para x = 0,75, un cambio bastante abrupto comienza en el momento magnético de 0 a 2,2 µB a la presión Pcr = 22,650 GPa. Para las concentraciones de Ga x = 0,25 y 0,50 el momento magnético aumenta gradualmente cuando la presión disminuye hacia su valor de equilibrio. Estudiamos la dependencia con la presión de transición hacia la fase ferromagnética cerca del inicio del momento magnético para cada compuesto Cr1xGaxN. Calculamos la densidad de estados con la concentración de Ga considerando las dos contribuciones de polarización de espín. Los resultados revelan que a x = 0,75 el compuesto se hace conductor para la polarización de espín arriba y que la densidad de estados de espín abajo es cero en el nivel de Fermi. A esta concentración en el compuesto presenta un comportamiento half-metallic, por consiguiente este material podría ser potencialmente usado como inyector de espín. A presiones P > Pcr el compuesto exhibe un comportamiento metálico.

Keywords : FP-LAPW; Semiconductores magnéticos; dependencia con la presión..

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