Abstract

DELGADO, Gerzon E et al. Caracterización estructural del semiconductor ternario Cu₂GeSe₄. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2015, vol.35, n.1, pp.34-38. ISSN 0255-6952.

El compuesto semiconductor ternario Cu₂GeSe₄ ha sido caracterizado mediante difracción de rayos-X en muestras policristalinas y refinado por el método Rietveld. Este compuesto cristaliza en el sistema cúbico, grupo espacial F 3m (N° 216), Z = 1, con parámetros de celda unidad a = 5.5815(3) Å y V = 173.88 (3) ų. El refinamiento de 10 parámetros instrumentales y estructurales convergió a las figuras de mérito R_p= 4.4%, R_wp= 6.8%, R_exp= 5.5%, R_B= 6.0% y S= 1.2 para 4001 intensidades y 28 reflexiones independientes. La estructura del Cu₂GeSe₄ pude ser descrita como derivada de la blenda de zinc donde los átomos de Zn están reemplazados por átomos de Cu y Ge, y por vacancias catiónicas.

Keywords : Semiconductor; Estructura cristalina; Refinamiento Rietveld.

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