Abstract

GRIMA-GALLARDO, Pedro et al. Preparación, estructura cristalina, análisis térmico, microscopia electrónica de barrido y brecha óptica de energía de las aleaciones Cu₂GeTe₄ y Cu₂SnTe₄. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2015, vol.35, n.2, pp.259-268. ISSN 0255-6952.

Se prepararon muestras policristalinas (peso ~ 1 g) de las aleaciones Cu₂GeTe₄ y Cu₂SnTe₄ por el método de fusión y recocido y los productos caracterizados por las técnicas de Difracción de Rayos X (DRX ) , Análisis Térmico Diferencial (ATD), Microscopía Electrónica de Barrido (MEB) y espectroscopía de reflectancia óptica difusa UV / VIS / CIR. Se encontró que : a) Cu₂GeTe₄ y Cu₂SnTe₄ cristalizan en una estructura ortorrómbica ( g.e. Imm2; Nº 44 ) con parámetros de red a = 5,9281 (4) Å , b = 4.2211 (6) Å , c = 12.645 (5) Å y a = 6.0375 (6) Å , b = 4,2706 (3) Å , c = 12.844 (1) Å , respectivamente ; b) ambas aleaciones muestran dos transiciones térmicas : 762 y 636K al calentar y ; 700 y 578K tras el enfriamiento para Cu₂GeTe₄ ; 702 y 636K al calentar y ; 650 y 590K tras el enfriamiento para Cu₂SnTe₄ ; c) ambas aleaciones presentan importantes desviaciones estequiométricas en sus cationes: Cu (~35%), Ge (7.2%) and Sn (26.4%) y menor que el error experimental para el anión Te; y d) las brechas ópticas de energía medidas fueron 0.63 y 0.53 eV para Cu₂SnTe₄ y Cu₂GeTe₄, respectivamente.

Keywords : Aleaciones semiconductoras; Difracción de Rayos X (DRX); Análisis Térmico Diferencial (ATD); Microscopía Electrónica de Barrido (MEB); Espectrocopía de Reflectancia Óptica Difusa; Cu₂GeTe₄; Cu₂SnTe₄.

        · abstract in English     · text in English     · English ( pdf )