Resumo

DUGARTE, Analio et al. Sobre la estructura del semiconductor tlins₂. Rev. LatinAm. Metal. Mater. [online]. 2016, vol.36, n.2, pp.217-224. ISSN 0255-6952.

En la revisión de un estudio estructural del semiconductor TlInS₂ reportado recientemente se encontró que la celda unidad propuesta no indexa satisfactoriamente el patrón de difracción de rayos X de polvo registrado en dicho estudio, para el mencionado semiconductor. En el presente trabajo se propone una celda unidad monoclínica diferente que es capaz de indexar correctamente los 28 máximos registrados del patrón de difracción reportado. Los parámetros de esta celda monoclínica son: a=10,884(4) Å, b=10,921(5) Å, c=15,113(6) Å, β=100,54(8)°. Estos parámetros son similares a los de una de las celdas reportadas previamente para este material. El refinamiento estructural realizado usando el Método de Rietveld demostró que la celda encontrada es la correcta y que la estructura del material estudiado es la misma que la reportada previamente en el grupo espacial C2/c (No. 15).

Palavras-chave : TlInS₂; Semiconductores; Difracción de rayos X; Método de Rietveld.

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