Resumen

NAGY, Agnes; POLANCO, Alicia  y  ALVAREZ, Manuel. La influencia del coeficiente de emisión N en el modelo de V_BE(T) del transistor bipolar. uct [online]. 2005, vol.9, n.35, pp.163-166. ISSN 1316-4821.

La necesidad de aumentar la exactitud y estabilidad en el diseño de los sensores de temperatura y referencias de banda prohibida bipolares, ha llevado recientemente a estudios experimentales sobre la variación del coeficiente de emisión n del transistor bipolar con la temperatura. El aumento de n con la disminución de la temperatura, observado en estos experimentos, aun no ha sido explicado. En el trabajo presente se explica la causa física de esta variación y se simula el comportamiento de n de un transistor bipolar a bajas temperaturas para diferentes condiciones de polarización. Se obtiene también una nueva expresión del potencial base-emisor VBE(T) que incluye el coeficiente de emisión. A partir de las expresiones teóricas se obtuvo un error en VBE(T ) superior a 2oC en el intervalo de 300 K a 240 K, al despreciar el coeficiente de emisión.

Palabras clave : Capacidad del emisor; Coeficiente de emisión; Modelo de VBE(T); Potencial baseemisor; Transistor Bipolar.