Resumen

MALOBABIC, Slavica; ORTIZ-CONDE, Adelmo; GARCIA SANCHEZ, Francisco J  y  MUCI, Juan. Modelado unidimensional del sistema óxido-silicio intrínseco-óxido. uct [online]. 2006, vol.10, n.40, pp.225-234. ISSN 1316-4821.

En este trabajo se presenta un modelo físico unidimensional para el sistema óxido - silicio intrínseco - óxido basado en la solución del potencial versus la distancia. Se demuestra que las dos soluciones anteriores aproximadas y analíticas, son completamente equivalentes para los casos cuando el campo eléctrico se anula o no dentro del semiconductor. Se presentan soluciones aproximadas asintóticas que son comparadas con los resultados exactos obtenidos con cálculo numérico iterativo. Se obtienen aproximaciones analíticas para los potenciales superficiales en conducción fuerte y débil también. Los resultados muestran una exactitud excelente de esta formulación.

Palabras clave : Modelado compacto de MOS; MOSFET de una compuerta; MOSFET con el cuerpo no dopado; canal intrínseco; SOI.