Resumo

LATORRE REY, Álvaro D et al. Comparación de cuatro métodos de extracción de parámetros para transitares MOSFET. uct [online]. 2011, vol.15, n.59, pp.75-84. ISSN 1316-4821.

En este trabajo se evalúan cuatro procedimientos de extracción de parámetros que logran separar los efectos de la resistencia en serie de drenador-surtidor, R, y del factor de degradación de movilidad, θ, a partir de mediciones I_D(V_G,V_D) de transistores MOSFET operando en la región de triodo bajo inversión fuerte. Los métodos se basan en ajustar ecuaciones a mediciones bidimensionales I_D(V_G, V_D) usando algoritmos en modos directo e indirecto. Además de R y θ, estos procedimientos extraen el parámetro de conducción, K, y el del efecto de carga de cuerpo, α. Todos los procedimientos son aplicados a datos experimentales y simulados para varios largos de canal. Los resultados son comparados en términos de eficiencia computacional y de su significado físico.

Palavras-chave : MOSFET; Extracción de parámetros; Resistencia drenador-surtidor; Degradación de movilidad; Ajuste Directo; Ajuste Indirecto; Optimización.